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1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
ti芯片型号  据市场研究公司 TrendForce 称,GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段,内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量,目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”,TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
  为此,村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术,利用行业首款负互感产品,开发了让电容器内部寄生电感与电路板内产生的寄生电感互相抵消的电源噪声抑制元件。通过连接1件本产品,实现用更少数量的电容器降低噪声,帮助节省整体空间。
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NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟(SSC)可实现超低噪声和EMI,外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面,NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试,缩短设计时间。
它的工作温度范围宽达 -20 至 60°C,并符合重工业 IEC 标准,可确保在工业环境中保持稳定的性能。这款结构紧凑但功能强大的 AI 系统能以较低的功耗实现较高的 AI 计算能力,是自主移动机器人、行李安检、缺陷检测和工人安全监控等 AI 应用的理想之选。为了简化 AI 模型的转换和部署,AIR-150 提供了易于使用的软件,以加快人工智能的开发。
ti芯片型号  TimeProvider 4500主时钟极高的时间精度在运营商试图部署 GNSS替代解决方案时显得尤为重要。地面方案通常被认为是一种极具吸引力的解决方案,可以利用现有的光网络部署来避免对全球导航卫星系统的依赖,以具有成本效益的方式实现长距离传输高精度时间。长距离传输意味着对时间信号源和再生的度要求越来越高。
这一节能与性能兼备的特点节省了系统层面的材料用量(BOM),而小于10 uA的深度睡眠和小于1 uA的休眠模式则为低功耗和电池驱动的应用节省了宝贵的电能。
我们很高兴能推出采用 WLCSP 封装的 nRF7002。在 nRF7002 系列中加入该封装,为我们的客户提供了一个多功能的紧凑型解决方案,以满足对更小、更省电的物联网设备日益增长的需求。
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该套件由NORA-B1无线MCU模块中的Nordic Semiconductor nRF5340无线片上系统 (SoC) 控制,可运行采用Nordic nRF Connect SDK或Zephyr开发环境开发的定制应用。该套件集成了多种传感器,包括温度、湿度、压力、环境光、磁力仪、陀螺仪、加速度和电池电量传感器。
ti芯片型号新款磁性位置传感器芯片MLX90427。这款产品专为需要高功能安全级别的嵌入式位置传感器应用而设计。它不仅具备卓越的杂散场抗干扰能力和电磁兼容鲁棒性,还能以高成本效益满足市场的广泛需求。MLX90427的优势之一是提供4种不同模式的SPI输出,包括旋转、摇杆和带有内部角度计算的旋转杂散场模式,以及原始数据输出模式,使其成为线控转向应用的理想选择。
  PGY-PCIeGen5-PA提供全套功能,包括2.5、5、8、16和32GT/s流量的同步协议分析,以及基于TS1、TS2、DLLP、TLP数据包内容和边带信号的if-then-else触发功能。 强大的软件可对PCIe和NVMe协议的捕获跟踪进行深入分析。 支持M.2、CEM、U.2、E1。借助S和SD Express插入器,分析仪可适应各种PCIe接口类型。
  MA35H0 专注于计算,而不是控制。虽然微处理器和微控制器这两个术语有时可以互换使用,但 MA35H0 系列 MPU 的规格明确强调了其计算能力。例如,该系列支持高分辨率显示器、兆位以太网和各种通信协议,以便轻松与外部外围设备集成。与普通微控制器相比,这些器件还具有强大的计算能力,支持带有两个 Arm 内核的 650 MHz 时钟。

分类: 意法芯片