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推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
rohm罗姆　ST4E1240 是意法半导体新系列收发器芯片的首款产品，为现代高性能工业应用提供强大而可靠的 RS-485信号传输解决方案。新收发器支持的数据速率远高于原有的RS-485 标准，可以延长电缆长度实现多点连接，总线上的收发器数量可以超过 64个。新产品的典型用途包括可编程逻辑控制器(PLC)、机器人、电信基础设施、智能建筑控制、伺服驱动器、光纤网络设备、电网基础设施、数据采集系统（包括智能电表）和背板总线。
英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现能效。

　　新型贴片机不再采用传统的前后上下线性运动，而是采用两个旋转头(TwinRevolve)来快速、平稳地拾取、翻转和放置芯片。这种独特的机制减少了惯性和振动，从而可以在更高的速度下实现相同的精度。这一研发为芯片制造商将其大批量线焊产品转向倒装芯片技术开辟了新的机会。
高分辨率 Σ-Δ ADC 与四个数字滤波通道一起，可通过测量电压、电流和温度等关键参数来准确测量电池的充电状态和健康状态。” “该器件具有两个具有自动增益控制功能的可编程增益放大器，无需软件干预即可完全自主控制模拟前端。使用基于分流器的电池电流传感比传统霍尔传感器具有更高的精度
rohm罗姆　　关于将锐龙与Versal两部分整合在一起，是否会导致整体设备的热设计功耗增加的问题，Chetan Khona回应称，在产品化层面，AMD还没有明确计划要将这两部分处理器整合为一款芯片（目前以板卡形式提供解决方案）。在蓝宝科技推出的基于Embedded+架构的ODM解决方案VPR-4616，包括整个系统、内存功耗在内，其TDP（散热设计功耗）在30瓦左右。
　　HL990x系列的主要特点是内部集成快恢复超结功率MOSFET，能够有效地减少电磁干扰(EMI)和开关损耗，具有的工作效率。内部集成高速高压集成电路(HVIC)不再需要多个驱动电源。该HVIC无缝地将逻辑信号转换为高压、大电流驱动信号，完全匹配内部功率MOSFE，无需额外的开销和考虑，对于简化系统设计，提高性能具有重大的意义。
　　OPTIGA Trust M MTR安全元件在经过通用标准的英飞凌工厂完成预配置。装在卷带上的安全元件批次在发货时带有相关条形码。客户可通过扫描条形码，在英飞凌合作伙伴 Kudelski IoT的物联网门户网站上申请这些芯片的所有权。Kudelski IoT是经过连接标准联盟（CSA）批准的权威产品机构（PAA），提供与厂商和产品相对应的生产DAC。，设备特有的DAC在工厂被转移到OPTIGA Trust M MTR中。

此外。应用包含的AOI（自动光学检测）及数字化转型，如数据驱动的决策、AI和机器学习，包含数字分身 (Digital Twin)以及结合生成式 AI 和预测性 AI 的企业ChatGPT平台。
rohm罗姆　　凭借其的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量的存储器。
　　L99H92的设计初衷是提高可靠性和安全性，为应用提供全面的系统保护和诊断功能。过流保护功能可以设置电流阈值，通过监测MOSFET 漏极电流检测过流。此外，高低边交叉导通防护功能可以设置死区时间，确保电桥的安全性和能效。 其他保护功能包括过热预警关断、模拟数字电源输入过压和欠压保护，以及断态诊断模式开路负载和输出短路检测。
　　NSIP605x系列推挽变压器驱动是纳芯微推出的高性价比产品系列的新成员。纳芯微亦提供其他高性能、高集成度的产品选择，包括集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列；以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。