maxim芯片

　　G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。
maxim芯片极低的休眠功耗(小于1uA)。HL8518可实现超低功耗待机，保证整车在长期熄火的状态下，车载电池不会出现馈电，无法正常启动等现象。
　　新型适配器采用坚固的不锈钢结构，并专为恶劣环境设计，确保在峰值水平下的持久性能。这些适配器的弹性与其广泛的互操作性相匹配，并与射频连接器兼容，确保顺利集成到您现有的设置中。

TDK 将以开发新产品固态电池为目标，努力开发电池芯和封装结构设计，并向量产迈进。此外，TDK 还将运用在电子元件业务中积累的生产工程技术，通过积层层压技术提高电池容量，并扩大其工作温度范围。
这两款MCU集成专用图形处理器和快速存储接口，与我们突破嵌入式显示器极限的使命完美契合。Riverdi选用这款芯片设计下一代显示模组。新MCU有望提高未来屏显的视觉性能和响应速度，为用户带来更具吸引力的用户体验，这代表我们在向客户提供屏显解决方案的研发过程中迈出重要一步。
maxim芯片Rust使开发者能够充分发挥我们MCU的优势，更大程度地规避安全风险、缩短开发周期并降低成本。在汽车行业，由于工具必须达到车规级标准，因此整合一个强大的软件生态系统至关重要。我们期待与HighTec等Rust合作伙伴合作，共同打造一个完整的AURIX? Rust生态系统。
　　凭借外部FET选项和性可编程（OTP）选项，XDP700-002能提供灵活的故障和警告检测编程，以及用于各种使用模式的抗尖峰脉冲水平。其模拟辅助数字模式可向后兼容传统模拟热插拔控制器。XDP700-002稳健的功能和适应性充分体现了英飞凌在电信基础设施创新和系统可靠性方面的持续投入。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。

额定电压为2.5Vdc、工作温度可达105°C、温度特性为X6S※2的“GRM188C80E107M”和工作温度可达85°C、温度特性为X5R※3的“GRM188R60E107M”已经开始量产。此外，额定电压为4Vdc、工作温度可达85°C的产品※4计划于2025年开始量产。
maxim芯片　　该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。
　　RZ/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的Renesas专有DRP（动态可重新设定处理器）-AI3 AI加速器。此外，该处理器还集成了四个Arm? Cortex?-A55 CPU核心，工作频率为1.8 GHz，是专为Linux应用处理而量身定制的。为实现高效能实时处理，该处理器采用了两个800 MHz运行频率的Cortex-R8核心和一个作为子核心运行的Cortex-M33核心。该装置将这些核心集成到单个芯片中，可有效地管理视觉AI和实时控制任务，成为要求苛刻的机器人应用的理想选择。
对于医疗应用，CCP550系列符合IEC60601-1 Ed.3的安规，初级到次级有2个MOPP，初级到地和次级到地有1个MOPP。结合低接地和患者漏电电流，CCP550是漂浮式（BF）患者接触医疗设备的理想选择。